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지속적인 혁신을 입증하는 키오시아 코퍼레이션(Kioxia Corporation)과 웨스턴 디지털 코퍼레이션(Western Digital Corp.)(NASDAQ: WDC)이 오늘 최신 3D 플래시 메모리 기술에 대한 자세한 내용을 발표했다. 첨단 스케일링 및 웨이퍼 접합 기술을 적용한 3D 플래시 메모리는 경쟁력 있는 가격으로 탁월한 용량, 성능 및 신뢰성을 제공하며, 광범위한 시장 소분야에서 기하급수적으로 증가하는 데이터 요구에 적절히 대응할 수 있다.
웨스턴 디지털의 기술 전략 부문 수석 부사장인 Alper Ilkbahar는 “새로운 3D 플래시 메모리는 자사와 키오시아의 강력한 파트너십을 통한 이익과 협력적 혁신 리더십을 보여줍니다”라고 밝히며 “우리는 단일한 공동 R&D 로드맵과 지속적인 R&D 투자를 통해 예정보다 빠르게 이 근본 기술을 상품화해 고성능의 비용 효율적 솔루션을 제공할 수 있게 됐습니다”라고 말했다.
키오시아와 웨스턴 디지털은 몇 가지 고유 공정과 아키텍처를 도입해 비용을 낮춲고, 지속적인 측면 스케일링의 발전을 이뤘다. 수직 및 측면 스케일링 간의 이런 균형으로, 최적화된 비용으로 레이어 수를 줄이고 더 작은 다이(die)에 더 많은 용량을 달성한다. 또한 양 사는 최적 조건에서 각 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 개별 제조한 후 결합해 향상된 비트 밀도와 신속한 낸드 I/O 속도를 제공하는 획기적인 어레이 직접 결합 CMOS(CBA) 기술을 개발했다.
키오시아의 최고 기술 책임자인 Masaki Momodomi는 “고유한 엔지니어링 파트너십을 통해, 양 사는 업계에서 가장 높은1 비트 밀도의 8세대 BiCS 플래시(BiCS FLASHTM)를 성공적으로 출시했습니다”라며 “제한적인 고객을 대상으로 키오시아의 샘플 배송이 시작돼 기쁩니다. CBA 기술과 스케일링 혁신을 적용함으로써 스마트폰, IoT 기기 및 데이터 센터 등 광범위한 데이터 중심형 응용 분야에서 사용할 수 있는 3D 플래시 메모리 기술의 진일보한 포트폴리오를 구축했습니다”라고 말했다.
218단 3D 플래시는 4개의 플레인으로 1Tb 트리플 레벨 셀(TLC) 및 쿼드 레벨 셀(QLC)을 활용하며, 비트 밀도를 50% 넘게 증가시키는 혁신적 측면 수축 기술이 적용돼 있다. 이전 세대 대비 60% 개선된 3.2Gb/s 이상의 고속 낸드 I/O는 20% 개선된 기록 성능 및 응답 속도와 더불어 전체적인 성능과 사용자를 위한 사용성을 가속화할 것이다.
리서치뉴스 온라인컨텐츠팀 35limsangho@daum.net
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